Chuyển đổi cây vuông (khảo sát Hoa Kỳ) thành Diện tích cross electron
sang các cây vuông (khảo sát Hoa Kỳ) [sq rd (US)] thành Diện tích cross electron [ECS], chuyển đổi hoặc ngược lại. Bảng chuyển đổi và các bước chuyển đổi cũng được liệt kê. Ngoài ra, khám phá các công cụ để chuyển đổi Chuyển đổi Diện tích cross electron thành cây vuông (khảo sát Hoa Kỳ).
đơn vị khác. Cây Vuông (Khảo Sát Hoa Kỳ) thành Diện Tích Cross Electron
1 sq rd (US) = 2.529295325e+53 ECS
Vui lòng cung cấp giá trị bên dưới để chuyển đổi: Cách chuyển đổi 15 sq rd (US) thành ECS:
15 sq rd (US) = 15 × 2.529295325e+53 ECS = 3.7939429875e+54 ECS
Cây Vuông (Khảo Sát Hoa Kỳ) thành Diện Tích Cross Electron đơn vị cơ sở
| cây vuông (khảo sát Hoa Kỳ) | Diện tích cross electron |
|---|
Cây Vuông (Khảo Sát Hoa Kỳ)
Một cây vuông (khảo sát Hoa Kỳ) là đơn vị diện tích bằng với diện tích của một hình vuông có các cạnh dài một cây (16,5 feet), chủ yếu được sử dụng trong đo đạc đất đai.
công thức là
Cây vuông bắt nguồn từ hệ thống đo đạc đất truyền thống ở Hoa Kỳ, đặc biệt trong khảo sát và bất động sản, nơi cây là đơn vị chiều dài phổ biến. Nó đã được sử dụng trong lịch sử để đo các lô đất, đặc biệt trong các bối cảnh nông thôn và nông nghiệp.
Bảng chuyển đổi
Ngày nay, cây vuông (khảo sát Hoa Kỳ) phần lớn đã lỗi thời và được thay thế bằng các đơn vị hiện đại hơn như mẫu Anh. Tuy nhiên, nó vẫn có thể gặp trong các hồ sơ đất đai lịch sử và tài liệu khảo sát.
Diện Tích Cross Electron
Diện tích cross electron (ECS) là một thước đo xác suất electron tương tác với hạt hoặc vật liệu mục tiêu, thường được biểu thị bằng các đơn vị diện tích như mét vuông hoặc barn.
công thức là
Khái niệm về diện tích cross bắt nguồn từ vật lý hạt nhân và hạt để định lượng xác suất tương tác. Diện tích cross electron đã được phát triển thông qua các phép đo thực nghiệm và mô hình lý thuyết kể từ đầu thế kỷ 20, đóng vai trò quan trọng trong việc hiểu các tương tác electron-vật chất.
Bảng chuyển đổi
ECS được sử dụng trong các lĩnh vực như vật lý plasma, kính hiển vi điện tử và vật lý bức xạ để phân tích sự tán xạ electron, quá trình va chạm và đặc tính vật liệu, hỗ trợ trong thiết kế các thí nghiệm và diễn giải dữ liệu tương tác electron.